Reactive-ion etching system back end at LAAS 0503
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Plasma-unterstütztes ÄtzenPlasma-unterstütztes Ätzen bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen sie alternative Strukturierungsverfahren zum nasschemischen Ätzen dar. Der Materialabtrag z. B. von Siliziumdioxid auf Silizium-Wafern erfolgt dabei mithilfe plasmaaktivierter Gase und beschleunigter Ionen. .. weiterlesen
TrockenätzenUnter dem Begriff Trockenätzen fasst man in der Halbleitertechnologie und in der Mikrosystemtechnik eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren zusammen, die nicht auf nasschemischen Reaktionen basieren. Der Materialabtrag erfolgt dabei entweder durch beschleunigte Teilchen oder mithilfe plasmaaktivierter Gase. Es werden also je nach Verfahren chemische sowie physikalische Effekte ausgenutzt. .. weiterlesen