Optical proximity correction DE


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500 x 450 Pixel (8764 Bytes)
Beschreibung:
Links: Kantenverundung und Linienverkürzung durch den "optical proximity effect" bei der photolithographischen Abbildung Rechts: Einfach "optical proximity correction" (OPC) der Fotomaske und deren Auswirkungen auf die Abbildung
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Weitere Informationen zur Lizenz des Bildes finden Sie hier. Letzte Aktualisierung: Mon, 30 Sep 2024 11:11:59 GMT

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Optical proximity correction

Optical proximity correction ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei fotolithografischen Prozessen. Es gehört zur Gruppe der Auflösungsverbesserungsverfahren, welche bei Strukturgrößen unterhalb der Lichtwellenlänge (193 nm) zum Einsatz kommen. .. weiterlesen

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