MISFET mit Inversdiode (Schaltzeichen)
Autor/Urheber:
Attribution:
Das Bild ist mit 'Attribution Required' markiert, aber es wurden keine Informationen über die Attribution bereitgestellt. Vermutlich wurde bei Verwendung des MediaWiki-Templates für die CC-BY Lizenzen der Parameter für die Attribution weggelassen. Autoren und Urheber finden für die korrekte Verwendung der Templates hier ein Beispiel.
Shortlink:
Quelle:
Größe:
400 x 271 Pixel (16776 Bytes)
Beschreibung:
Schaltzeichen von einem selbstsperrenden n-Kanal- und p-Kanal-MISFET mit zusätzlicher Inversdiode
Lizenz:
Relevante Artikel
Fast-recovery epitaxial diode field-effect transistorEin fast-recovery epitaxial diode field-effect transistor ist ein spezieller Leistungsfeldeffekttransistor, welcher besonders zum Schalten von induktiven Lasten in Vollbrückenschaltung geeignet ist. .. weiterlesen