Lift-off-Verfahren (Halbleitertechnik)

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Cepheiden

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Quelle:

Wikimedia Commons

Größe:

1024 x 756 Pixel (41824 Bytes)

Beschreibung:

Die Abbildung zeigt das Lift-off-Verfahren zur Herstellung von strukturieren dünnen Schichten mithilfe einer Opferschicht. Das verfahren wird in der Halbleiter- und Mikrosystemtechnik eingesetzt um beispielsweise metallischen Leiterbahnen für die Vernetzung von Halbleiterbauelementen herzustellen.

Lizenz:

CC BY-SA 3.0

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Weitere Informationen zur Lizenz des Bildes finden Sie hier. Letzte Aktualisierung: Fri, 06 May 2022 16:00:39 GMT

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Das Lift-off-Verfahren ist in der Halbleiter- und Mikrosystemtechnik eine Prozessfolge zur Herstellung einer meist metallischen Mikrostruktur. In einem ersten Prozessschritt werden dabei strukturierte dünne Schichten auf der Oberfläche von Substraten wie beispielsweise Wafern erzeugt. Auf diese strukturierte Opferschicht wird dann das Zielmaterial ganzflächig abgeschieden. Jene Bereiche, in denen sich das Zielmaterial auf der Opferschicht befindet, werden anschließend durch einen weiteren Prozessschritt entfernt, und die verbliebenen Strukturen bilden die gewünschte Mikrostruktur. Die Größe der mit dem Lift-off-Verfahren herstellbaren Strukturen reicht von einigen zehn Nanometern bis zu Zentimetern, wobei die typischen Strukturgrößen im Mikrometerbereich liegen. Eingesetzt wird das Verfahren unter anderem zur Herstellung von Leiterbahnebenen oder Kontaktflächen bei der Fertigung von integrierten Schaltungen (ICs) und Mikrosystemen. Im Gegensatz zu diesem additiven bzw. aufbauenden Verfahren stehen die subtraktiven Verfahren, bei denen zuerst ganzflächig eine homogene Schicht des Zielmaterials auf dem Substrat abgeschieden wird und die spätere Struktur durch Ätzen dieser Schicht entsteht. .. weiterlesen