III-V-Halbleiter


Autor/Urheber:
Attribution:
Das Bild ist mit 'Attribution Required' markiert, aber es wurden keine Informationen über die Attribution bereitgestellt. Vermutlich wurde bei Verwendung des MediaWiki-Templates für die CC-BY Lizenzen der Parameter für die Attribution weggelassen. Autoren und Urheber finden für die korrekte Verwendung der Templates hier ein Beispiel.
Größe:
1000 x 917 Pixel (97287 Bytes)
Beschreibung:
Bandlücke über die Gitterkonstante aufgetragen. Die Linien zwischen den Elementen stellen die ternären Verbindungen dar. Die Wurtzit-Kristallisationen besitzt zwei Gitterkonstanten a und c, die Zinkblende nur eine einzige.
Lizenz:
Credit:
Eigenes Werk (Originaltext: selbst erstellt)
Bild teilen:
Facebook   Twitter   Pinterest   WhatsApp   Telegram   E-Mail
Weitere Informationen zur Lizenz des Bildes finden Sie hier. Letzte Aktualisierung: Mon, 28 Aug 2023 01:43:17 GMT

Relevante Bilder


Relevante Artikel

III-V-Verbindungshalbleiter

Bei einem III-V-Verbindungshalbleiter handelt es sich um eine Verbindung von Materialien der chemischen Hauptgruppe III (Erdmetalle/Borgruppe) und V (Stickstoff-Phosphor-Gruppe), deren Kombination die elektrische Leitfähigkeit von Halbleitern besitzt. III-V-Verbindungshalbleiter sind daher von großer Bedeutung für technische Anwendungen in der Halbleitertechnik. .. weiterlesen

Zinkblende-Struktur

Die Zinkblende-Struktur oder auch Sphalerit-Struktur beschreibt einen Kristallstrukturtyp, in dem eine Reihe von schwach polarisierten Ionenverbindungen kristallisieren. Aufgrund der Ionenradienverhältnisse im Sphalerit bilden die Sulfid-Anionen eine kubisch-dichteste Kugelpackung in Form einer kubisch flächenzentrierten Elementarzelle, worin die kleineren Zink-Kationen sich regelmäßig in der Hälfte (4) der insgesamt 8 Tetraederlücken aufhalten. .. weiterlesen