HKMG - NMOS and PMOS Intel 45 nm node DE

Autor/Urheber:

Cepheiden

Attribution:

Das Bild ist mit 'Attribution Required' markiert, aber es wurden keine Informationen über die Attribution bereitgestellt. Vermutlich wurde bei Verwendung des MediaWiki-Templates für die CC-BY Lizenzen der Parameter für die Attribution weggelassen. Autoren und Urheber finden für die korrekte Verwendung der Templates hier ein Beispiel.

Shortlink:

https://www.dewiki.de/b/2bbd55

Quelle:

Wikimedia Commons

Größe:

1600 x 675 Pixel (34129 Bytes)

Beschreibung:

Schematische Querschnitte durch ein n-Kanal und ein p-Kanal-MOSFET in High-k+-Metal-Gate-Technik (Gate-Last- bzw. Replacement-Gate-Ansatz) wie ihn Intel 2007 mit den Penryn-Prozessoren in 45-nm-Technik einführte. Die vereinfachten Darstellungen sind Veröffentlichungen von Transmissionselektronenmikroskopaufnahmen nachempfunden, wie sie beispielsweise in D. James An Ongoing History of Strain-Now Available with High-k! WeSRCH-Veröffentlichung (http://electronics.wesrch.com/pdfEL1SE1YJ9AKVU) zu finden sind.

Lizenz:

CC BY-SA 3.0

Bild teilen:

         

Weitere Informationen zur Lizenz des Bildes finden Sie hier. Letzte Aktualisierung: Fri, 29 Apr 2022 13:36:11 GMT

Relevante Bilder

Relevante Artikel

Eine metallische Gate-Elektrode bezeichnet im Bereich der Halbleitertechnik eine aus Metall bestehende Gate-Elektrode eines Isolierschicht-Feldeffekttransistors. Sie grenzt sich ab gegenüber Gate-Elektroden aus Polysilizium, die seit dem Ende der 1970er Jahre die zuvor genutzten Gate-Elektroden aus Aluminium (Aluminium-Gate-Technik) verdrängt haben und seitdem bei integrierten Schaltkreisen (ICs) in CMOS-Technik hauptsächlich eingesetzt werden. .. weiterlesen

Die High-k+Metal-Gate-Technik (HKMG-Technik) bezeichnet in der Halbleitertechnik einen speziellen Aufbau von Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MISFETs) moderner integrierter Schaltkreise (IC). Die Technik ist charakterisiert durch den Einsatz von Materialien mit einer höheren relativen Permittivität als Siliciumdioxid, sogenannte High-k-Materialien, als Isolationsschicht und einer metallischen Gate-Elektrode. .. weiterlesen