Fully-recessed LOCOS process DE

Autor/Urheber:

Cepheiden

Attribution:

Das Bild ist mit 'Attribution Required' markiert, aber es wurden keine Informationen über die Attribution bereitgestellt. Vermutlich wurde bei Verwendung des MediaWiki-Templates für die CC-BY Lizenzen der Parameter für die Attribution weggelassen. Autoren und Urheber finden für die korrekte Verwendung der Templates hier ein Beispiel.

Shortlink:

https://www.dewiki.de/b/23026e

Quelle:

Wikimedia Commons

Größe:

768 x 600 Pixel (18797 Bytes)

Beschreibung:

Vereinfachtes Schema des Fully-Recessed-LOCOS-Prozess' für die Herstellung von Isolationsstrukturen in der Halbleitertechnik

1. Abscheidung des Schichtstapels (SiO₂, Si₃N₄), fotolitografische Strukturierung und Öffnung des Oxidationsfensters durch Trockenätzen
2. Rückätzen des Siliciums. Im Beispiel wurde ein (100)-Si-Substrat mit einem anisotropen Nassätzschritt geätzt.
3. Thermische Oxidation von Silicium mit Volumenzunahme

4. Rückätzen von SiO₂ und Entfernung der Nitridmaske

Lizenz:

CC BY-SA 3.0

Bild teilen:

         

Weitere Informationen zur Lizenz des Bildes finden Sie hier. Letzte Aktualisierung: Tue, 01 Nov 2022 02:17:24 GMT

Relevante Bilder

Relevante Artikel

LOCOS, kurz für englisch local oxidation of silicon, ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Halbleiterbauelementen, beispielsweise Transistoren. Dafür wird der Silicium-Wafer an ausgewählten Stellen maskiert, das heißt mit einer strukturierten Schutzschicht versehen, und das freigelegte Silicium anschließend örtlich begrenzt oberflächennah bei hohen Temperaturen einer sauerstoffreichen Atmosphäre oxidiert, vgl. thermische Oxidation von Silicium. Auf diese Weise entsteht an der Substratoberfläche zwischen den elektrisch aktiven Siliciumgebieten für die Bauelemente ein elektrischer Isolationsbereich aus Siliciumdioxid. .. weiterlesen